上海の復旦大学に所属する研究チームが、フラッシュメモリのデータ読み書き性能をピコ秒(1兆分の1秒)レベルまで高めたメモリデバイスを開発しました。「PoX」と名付けられたデバイスは400ピコ秒でのスイッチングが可能となっており、従来の世界記録を大幅に上 ...